- 中芯国际申请半导体结构等形成方法专利, 能够有效提升最终形成的封装结构的性能[2025-02-04]
- 金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体芯片、封装结构以及各对应形成方法”的专利，公开号CN119340317A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，一种半导体结构、半导体芯片、封装结构以及各对应形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底具有第一面，衬底包括若干芯片区，各芯片区内具有相对于第一面凹陷的凹槽；位于凹槽内的第一芯片，且第一面暴露出第一芯片的功能面；
